支持体に転写されたグラフィック素子を含むオブジェクト及び該オブジェクトの製造方法

专利摘要:
少なくとも１つのグラフィック素子を備えたオブジェクト（１００）であって、少なくとも１つの金属により構成され、グラフィック素子のパターンに応じてエッチングされた少なくとも１つの層（６’，６’’）を含み、前記層の第一面が、少なくとも１つの少なくとも部分的に透明な基板（２）の面に対向して配置され、前記層の第一面と反対側の第二面が、少なくとも１つのパッシベーション層（１２’）で覆われ、前記パッシベーション層が、ウェハーボンディングにより、少なくとも１つの支持体（２０）の少なくとも１つの面に固定され、支持体を含むモノリシック構造を形成し、前記層が、少なくとも前記第二面において、前記金属及び少なくとも１つの半導体により構成された少なくとも１つの領域（１０）を含むことを特徴とする。
公开号:JP2011509782A
申请号:JP2010543509
申请日:2009-01-23
公开日:2011-03-31
发明作者:アラン・レイ；クリステル・デグー；ローラン・ヴァンドルー
申请人:コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ；
IPC主号:A44C5-00

专利说明:

[0001] 本発明は、例えば、宝石、石、腕時計タイプ（例えば、腕時計のガラス、文字盤又はケース底）、可動電子装置（例えば、ウィンドウ又はスクリーン）又はいずれの他の固体媒体のマッシブ（ｍａｓｓｉｖｅ）オブジェクトなどのオブジェクトに関し、装飾、活版印刷の文字、図又はさらには写真等の、グラフィックス、グラフィック素子を含み、これらは、例えば、マイクロメートル及び／又はナノメートルの寸法を有する。また、本発明は、このようなオブジェクトの製造方法に関する。]
[0002] 本発明は、様々な工業的、文化的又は芸術的分野に応用される。腕時計産業においては、極めて優れた見栄えの半透明の装飾又は極めて頑丈なグラフィックスを製造するために、腕時計のガラス又はケース底が、本発明により形成されうる。]
[0003] 本発明は、宝石の分野にも適応されてよく、特に、例えば、ペンダント、リング、又はイアリングの製造に使用されるマイクロメートル及び／又はナノメートルの寸法を有する文字又は装飾を含む石の製造に適応される。]
[0004] 本発明は、極めて良好な耐久性を有し（数千又は数百万年）、小さな容積内に（例えば、２ｍｍの厚さ未満に対し、数ｃｍ２の表面積）、大量な情報を格納することを達成するために使用されてもよい。]
背景技術

[0005] 例えば、オブジェクトへのフォトリソグラフィといったマイクロテクノロジによる技術を適用することにより得られたマイクロメートルサイズのグラフィック又は装飾を含むオブジェクトを製造することは、周知である。しかしながら、通常、オブジェクトの表面上に形成されたこれらの装飾の機械的構造安定性及び耐久性は低い。]
[0006] オブジェクト上に形成されたグラッフィクスを保護するための方法が、特許文献１に記載されている。この文献においては、グラフィックスが、第一に、透明基板へのフォトリソグラフィによって形成される。次に、この基板が反転され、次に、接着又は圧着によって所望のオブジェクトに固定される。]
[0007] このような方法が、いくつかの欠点を有する。実際には、オブジェクトに基板を固定するために使用される接着剤が、限られた寿命を有する有機材料を含む。従って、これによって製造されたオブジェクトが、限られた寿命を持つ。一方、これらの接着剤の光学特性が、時間とともに劣化し、基板上に形成されたグラフィックスの視認性を変える。圧着により、オブジェクトに対する基板の頑丈な機械的組立てが可能となるが、達成された圧着は、オブジェクトを破壊することなく、分解されうるため、オブジェクトとそのグラフィックの良好な結合性を確保できず、不正開封防止（ｔａｍｐｅｒｐｒｏｏｆ）グラフィックを含むオブジェクトを形成しようとする場合に、問題を生じる。]
先行技術

[0008] 仏国特許発明第２８５１４９６号明細書]
発明が解決しようとする課題

[0009] 本発明の目的は、上記の従来技術の欠点を有さない、一つ以上のグラフィック素子を含むオブジェクト、及びそのようなオブジェクトの製造方法を提案することである。]
課題を解決するための手段

[0010] このため、本発明は、少なくとも一つのグラフィック素子を備えたオブジェクトを提案するものであり、グラフィック素子のパターンに応じてエッチングされた少なくとも一つの層を含み、前記層の第一面が、少なくとも部分的に透明な少なくとも一つの基板の面に対向して配置され、前記層の第一面と反対側の第二面が、ウエハーボンディング（分子付着）によって、少なくとも一つの支持体の少なくとも一つの面に固定された少なくとも一つのパッシベーション層によって覆われ、支持体を備えたモノリシック構造を形成する。]
[0011] グラフィック素子のパターンに応じてエッチングされた前記層が、少なくとも一つの金属により構成されてよい。さらに、グラフィック素子のパターンに応じてエッチングされた前記層が、少なくとも第二面において、少なくとも一つの半導体及び前記金属により構成された少なくとも一つの領域を含んでよい。]
[0012] 従って、マイクロメートル及び／又はナノメートル寸法を有しうるグラフィック素子が、オブジェクトの支持体とパッシベーション層との間に実現されたウェハーボンディングによる結合手段を用いて、頑丈で、耐久性があり、統合的な方法（オブジェクトを傷つけることなく分離することが不可能）で、オブジェクト上に形成される。]
[0013] 従って、ウェハーボンディングにより達成された結合を用いて、グラフィック素子により形成されたグラフィック又はテキストが、２つのマッシブな固体成分の間、一側上の基板及び他側上の支持体との間において密封される。特に、この密封シールが、湿気、又は、いずれの他のガス若しくは液体化学製品（基板又は支持体を破壊しうる製品を除く）の拡散に対するバリアを形成する。]
[0014] ウェハーボンディングによる結合では、基板から及びオブジェクトの支持体から、モノリシックであり頑丈な構造を形成することが可能であり、グラフィック素子が包囲される。基板と支持体との間の接着力が、材料の凝集力よりも大きい。従って、基板と支持体とを分離させるためのいずれの試みが、オブジェクトの完全な破壊を引き起こす。]
[0015] さらに、ウェハーボンディングによる結合では、無機物質を使用することが可能であり、その光学特性は、長期間、安定している。従って、得られた構造は、時間によって、その光学特性（特に、グラフィック素子の可視性）が低下しない。]
[0016] 一側上の基板の全厚及び他側上の支持体によって、グラフィック素子が、機械的に保護される。グラフィック素子を破壊する前に、後者が、全体的に、研磨又は摩耗されなければならない。従って、極めて硬い材料、例えば、炭化ケイ素又はダイアモンドによって傷つけられるのみであることが可能な基板に対してはサファイアを選択することにより、この保護材が最大化されうる。]
[0017] このオブジェクトが、グラフィック素子のパターンの密度とは関係なく形成されてよい。]
[0018] グラフィック素子が、金属層内に形成される場合、貴重で極めて安定した材料、即ち、経時的な劣化又は腐食とは無関係である材料を用いて、グラフィックス又はテキストが形成されてよい。]
[0019] グラフィック素子を含む層内に形成された半導体及び金属により構成された領域を用いて、グラフィック素子を含む層上におけるパッシベーション層の極めて良好な付着が得られ、この付着により、例えば、その後のオブジェクトを形成する層の切断（ウェハー切断）に関して、オブジェクトのいずれの劣化を防ぐことが可能である。]
[0020] 基板が、少なくとも１つの非晶質若しくは結晶材料により構成されてよく、及び／又はパッシベーション層が、少なくとも１つの無機物質により構成されてよい。]
[0021] オブジェクトが、グラフィック素子が形成された層の第一面と基板の面との間に配置された付着層（ａｄｈｅｒｅｎｃｅ ｌａｙｅｒ）をさらに含んでよい。]
[0022] この場合、グラフィック素子が、付着層内にエッチングされてもよい。]
[0023] 付着層が、少なくとも１つの金属及び／又は金属窒化物及び／又は金属酸化物により構成されてよい。]
[0024] オブジェクトが、支持体の面とパッシベーション層との間に配置された少なくとも１つの接着層（ａｄｈｅｓｉｏｎ ｌａｙｅｒ）をさらに含んでよく；ウェハーボンディングが、接着層とパッシベーション層との間に形成されてよい。]
[0025] ウェハーボンディングの前に、支持体上に堆積された接着層を用いることにより、支持体が、いずれの性質であってよく、又は、いずれの材料により構成されてよい。この材料が、特に、ウェハーボンディングの強化を可能にする実行可能なアニーリングに適合するものであってよい。]
[0026] オブジェクトが、例えば、宝石、腕時計、又は電子デバイスであってよい。]
[0027] 層の前記領域が、ケイ素化合物によって構成されてよい。]
[0028] また、本発明は、少なくとも１つのグラフィック素子を備えたオブジェクトの製造方法に係り、
ａ）少なくとも１つの少なくとも部分的に透明な基板の面上に又は該面と対向する少なくとも１つの層を堆積するステップ、
ｂ）グラフィック素子のパターンに応じて前記層をエッチングするステップ、
ｃ）少なくとも、エッチングされたグラフィック素子を含む前記層上及びエッチングされたグラフィック素子を含む層によって覆われていない基板の面の部分上に、少なくとも１つのパッシベーション層を堆積するステップ、
ｄ）モノリシック構造を形成するように、ウェハーボンディングによって少なくとも１つの支持体の少なくとも１面にパッシベーション層を固定するステップ、からなるステップを少なくとも含む。]
[0029] また、本発明は、少なくとも１つのグラフィック素子を備えたオブジェクトの製造方法に係り、
ａ）少なくとも１つの少なくとも部分的に透明な基板の面上に又は該面と対向して少なくとも１つの層を堆積するステップ、
ｂ）グラフィック素子のパターンに応じて前記層をエッチングするステップ、
ｃ）前記層内に、基板の側面上に位置された前記層の第一面と反対側の前記層の少なくとも第二面において、前記金属及び少なくとも１つの半導体により構成された少なくとも１つの領域を形成するステップ、
ｄ）少なくとも、エッチングされたグラフィック素子を含む前記層上及びエッチングされたグラフィック素子を含む層によって覆われていない基板の面の部分上に、少なくとも１つのパッシベーション層を堆積するステップ、
ｅ）モノリシック構造を形成するように、ウェハーボンディングによって少なくとも１つの支持体の少なくとも１面にパッシベーション層を固定するステップ、からなるステップを少なくとも含む。]
[0030] この方法が、層を堆積するステップａ）の前に、基板の面上に付着層を堆積するステップをさらに含んでよく、次に、ステップａ）の間に付着層上に前記層が堆積される。]
[0031] グラフィック素子が、付着層内において、ステップｂ）の間にエッチングされてもよい。]
[0032] この方法が、パッシベーション層を堆積するステップｄ）と固定するステップｅ）との間に、約４００℃から１，１００℃の間に含まれる温度でパッシベーション層を含む基板をアニーリングするステップをさらに含んでよい。]
[0033] この方法が、パッシベーション層を堆積するステップｄ）と固定するステップｅ）との間に、パッシベーション層を平坦化するステップをさらに含んでよい。]
[0034] グラフィック素子をエッチングするステップｂ）が、前記層内に及び／又は基板の面と前記層との間に配置された付着層内に、マスキング、リソグラフィック及びエッチングステップを適応する、又は基板の面と前記層との間に配置された付着層内及び／又は前記層内に直接的に少なくとも１つのレーザーアブレーションステップを適応することにより達成されてよい。]
[0035] この方法が、固定するステップｅ）の前に、少なくとも支持体の面上に少なくとも１つの接着層を堆積するステップをさらに含んでよく、固定するステップｅ）が、前記接着層とパッシベーション層との間のウェハーボンディングによる結合を適用することにより達成される。]
[0036] この方法が、接着層を堆積するステップと固定するステップｅ）との間に、接着層を平坦化するステップをさらに含んでよい。]
[0037] この方法が、接着層を堆積するステップと固定するステップｅ）との間に、約４００℃から１，１００℃の間に含まれる温度で接着層を含む支持体をアニーリングするステップをさらに含んでよい。]
[0038] この方法が、固定するステップｅ）の後に、ウェハーボンディングを強化するように、オブジェクトのアニーリングによって熱処理するステップをさらに含んでよい。]
[0039] 前記金属及び半導体により構成された領域を形成するステップｃ）が、前記層をシリコン処理（ケイ素化）するステップを適応することによって達成される。]
図面の簡単な説明

[0040] 特定の実施形態による、本発明のオブジェクト、該オブジェクトの製造方法のステップを図示したものである。
特定の実施形態による、本発明のオブジェクト、該オブジェクトの製造方法のステップを図示したものである。
特定の実施形態による、本発明のオブジェクト、該オブジェクトの製造方法のステップを図示したものである。
特定の実施形態による、本発明のオブジェクト、該オブジェクトの製造方法のステップを図示したものである。
特定の実施形態による、本発明のオブジェクト、該オブジェクトの製造方法のステップを図示したものである。
特定の実施形態による、本発明のオブジェクト、該オブジェクトの製造方法のステップを図示したものである。
特定の実施形態による、本発明のオブジェクト、該オブジェクトの製造方法のステップを図示したものである。
特定の実施形態による、本発明のオブジェクト、該オブジェクトの製造方法のステップを図示したものである。]
実施例

[0041] 添付図面を参照する、何ら制限するものではなく、例示的な実施形態を単に示すだけのものである記載を読むことにより、本発明がさらに理解される。]
[0042] ある図から他の図への移動が容易にとなるように、以下に記載された様々な図面の同一の、同様な又は同等な部分が、同じ参照符号を有する。]
[0043] 図面をより読み易くするために、図面に図示された異なる部分が、必ずしも同じスケールに従って図示されていない。]
[0044] 異なる可能性（代替手段）が、互いに排他的とならないように理解されるべきであり、これらが、一緒に組み合わされてもよい。]
[0045] 例えば、宝石、腕時計、又はさらには電子装置のようなマッシブなオブジェクトである、支持体２０上に転写されたグラフィック素子を含むオブジェクト１００の例示的な製造方法が、図１Ａ−１Ｈと関連して説明される。] 図１Ａ
[0046] 図１Ａに図示されるように、まず第一に、例えば、ガラスのような非晶質材料、又はサファイア若しくはダイアモンドのような結晶材料により構成された透明な基板又は少なくとも部分的に透明な基板である基板２の平面上に、付着層４の堆積物が形成され、付着層４上に層６が堆積される。基板２の厚さは、例えば、数百マイクロメートルと等しく、又は、約１００μｍと１ｍｍの間に含まれる。（図１Ｆ−１Ｈに図示される）支持体２０の厚さは、特に、基板２の厚さと等しい又はこれよりも大きくてよい。] 図１Ａ 図１Ｆ
[0047] 層４及び６が、例えば、ＰＶＤタイプの堆積（蒸着又はスパッタリング）によって得られる。ここで説明される実施形態において、層６が、例えば、金、白金、タングステン、チタン、金属酸化物等の金属により構成される。層６の材料が、特に、光に対し不透明であってよい。この層６の厚さが、例えば、約５０ｎｍと１００ｎｍの間に含まれる。層６の厚さが、特に、層６を形成する材料の性質に応じて選択されてよく、選択された厚さが、層６のある不透明度を得るのに十分であってよい。従って、形成しようとするグラフィック素子が、層６内にエッチングされ、このグラフィック素子が、オブジェクト１００上で基板２を介して可視である場合、層６の材料の不透明度により、層６内に形成されたグラフィック素子が、視覚的にはっきり見えるものとなることが可能となる。付着層４が、例えば、チタン、チタン窒化物、チタン酸化物、又はいずれの他の材料により構成され、層６と、基板２との間の良好な付着を達成しうる。付着層４の特性が、特に、基板２及び層６の特性に応じて選択されてよい。この付着層４の厚さが、例えば、約１ｎｍと１０ｎｍの間に含まれてよい。]
[0048] 代替実施形態において、基板２と層６との間にいずれの中間の付着層４を使用することなく、層６が、基板２上に直接的に堆積されてよい。]
[0049] 次に、マスク８であって、そのパターンが形成しようとするグラフィック素子のそれと対応するマスク８が、層６上に形成される（図１Ｂ）。これに対し、感光性樹脂層が、例えば、層６上に堆積される。次に、マスク８を形成するために、１つ以上のリソグラフィー又はエッチングステップが行われる。従って、ここで説明される例示的な実施形態において、マスク８が、層６上に堆積された感光性樹脂層の残存部分によって形成される。従って、エッチングマスク８を形成するように、感光性樹脂層が、直接的に使用される。ここで説明される実施例において、感光性樹脂がポジ型であり、グラフィック素子のパターンがマスク８の部分によって形成される。しかしながら、ネガ型感光性樹脂を使用することも可能である。] 図１Ｂ
[0050] 図１Ｃに図示されているように、次に、層６及び付着層４が、等方性若しくは異方性又はドライな化学的手段（プラズマモード、反応性イオンエッチング又はイオン加工）によってエッチングされる。次に、エッチングマスク８が、除去される。この結果、グラフィック素子のパターンが、層６に転写され、層６の残存部分６’及び６’’並びに付着層４の残存部分４’及び４’’によって形成される。] 図１Ｃ
[0051] 代替実施形態において、マスク８が、例えば無機タイプ（例えば、二酸化ケイ素により構成される）の層内に形成され、層６上に堆積され、次に、それ上に、感光性樹脂層が堆積されることが可能である。次に、グラフィック素子のパターンが、樹脂層内において、リソグラフィー及びエッチングによって形成される。次に、このパターンが、エッチングによって、無機層に転写される。最後に、樹脂層の残存部分が、エッチングによって除去される。この場合、マスク８が、無機層の残存部分によって形成される。この代替実施形態が、特に、あるエッチング剤に対して耐性があるエッチングマスクを形成するために使用されてよく、このエッチング剤が、層６及び／又は付着層４をエッチングするために使用され、樹脂により構成されたマスクに対しダメージを引き起こしうる（例えば、王水）。マスクのいずれの代替実施形態が、エッチングされる材料（層６及び４の材料）に応じて選択されてよい。]
[0052] 上記方法の代替実施形態において、エッチングマスクを使用しないことが可能である。この場合、例えば、特に、フェムト秒のレーザーを用いて実施されうるレーザーアブレーションによって、グラフィック素子のパターンが層６内に直接的に形成され、層６と基板２との間に付着層４が存在する場合には、任意に、付着層４内にも形成される。]
[0053] 次に、層６の金属及び半導体により構成された領域１０が、エッチングされた層６の残存部分（図１Ｃにおける部分６’及び６’’）内に形成される。このため、例えば、エッチングされた部分６’及び６’’のシリコン処理が実施される。このシリコン処理が、例えば、例えば、２００℃から４５０℃の間に含まれる及び好ましくは約３００℃と等しい温度で、制御雰囲気下におけるシラン（ＳｉＨ４，又はさらに一般的ないずれのＳｉｎＨ２ｎ＋２タイプのガス）の分解によって達成される。これによって分解されたガスが、層６の金属と反応し、領域１０を形成する。例えば、層６が、Ｐｔにより構成されている場合、シリコン処理後に得られた領域１０が、ＰｔＳｉにより構成される。領域１０が、シリコン以外の半導体により構成されることも可能である。この領域１０が、例えば、約１ｎｍから５０ｎｍの間に含まれる厚さで形成され、又は、金属層６が、５０ｎｍ以上の厚さを有する場合、約１ｎｍから層６の全体厚さの間に含まれる厚さで形成される。] 図１Ｃ
[0054] 図１Ｄにおいて、次に、例えば、ＣＶＤ（化学蒸着）又はＰＶＤにより、パッシベーション層１２が堆積される。このパッシベーション層１２が、例えば、二酸化ケイ素又は窒化ケイ素等の無機材料により構成される。特に、その後に支持体２０とのウェハーボンディングを実現することが可能となるように、このパッシベーション層１２の材料が選択される。また、このパッシベーション層１２は、層６の残存部分６’，６’’によって形成されるパターンの保護の確保を目的とする。] 図１Ｄ
[0055] 代替実施形態において、まず第一に、層６の残存部分６’，６’’上及びこれらの残存部分６’，６’’を含む基板２の面上への、反射防止層及び／又は他の層の堆積を実現し、次に、この反射防止層及び／又は他の層上にパッシベーション層１２を堆積することも可能である。]
[0056] 金属層６の残存部分６’及び６’’の表面における領域１０の存在により、これらの部分６’及び６’’上へのパッシベーション層１２の接着が改善される。好ましくは、例えばシリコン処理ステップによって得られる領域１０の形成が、インサイチュで、即ち、パッシベーション層１２の堆積を実現するために使用される装置内において行われて良く、領域１０を形成するためのステップとパッシベーション層１２の堆積との間にいずれの他のステップを適応せず、この結果、領域１０が、外部環境に露出されることなく、これによって、パッシベーション層１２に対する領域１０の良好な接着特性が保たれうる。]
[0057] 次に、パッシベーション層１２が、例えば、メカノケミカル研磨ステップによって、平坦化され、これによって、付着層４の残存部分４’，４’’及び層６の残存部分６’，６’’がそれ上に形成される基板２の表面に対する付着層４’，４’’の残存部分並びに層６の残存部分６’，６’’によって形成されたレリーフを除去することが可能となる。これによって、残存部分６’，６’’上に平坦な表面を有するパッシベーション薄膜１２’が形成される（図１Ｅ）。パッシベーション薄膜１２’が、例えば、約１００ｎｍから１μｍの間に含まれる厚さを有してよい。] 図１Ｅ
[0058] これによって、オブジェクト１００の支持体２０上に転写しようとするグラフィック素子のパターンを含む、基板、層６の残存部分６’，６’’、付着層４の残存部分４’，４’’、及びパッシベーション薄膜１２’によりここで形成されたアセンブリ１４が得られる。]
[0059] アセンブリ１４を、例えば、約４００℃から１，１００℃の間に含まれる温度における安定化アニーリングにさらすことが可能であり、ここで説明された製造方法の間におけるその後に実現されるウェハーボンディングの間にアセンブリ１４内に存在する酸化物による起こりうる脱気を回避し、これによって、ウェハーボンディングを強固にする。]
[0060] アセンブリ１４の製造と並行して、支持体２０が、アセンブリ１４の転写を受け入れるように準備されてよい。]
[0061] このため、図１Ｆに図示されているように、例えば、ＣＶＤ又はＰＶＤタイプの蒸着により、アセンブリ１４を受け入れることを目的としている支持体２０の面上に、接着層２２が、堆積される。この接着層２２が、二酸化ケイ素若しくは窒化ケイ素等の無機材料、及び／又はパッシベーション層１２と同様な特性の物により構成されてよい。特に、アセンブリ１４との、特に、パッシベーション層１２’とのウェハーボンディングを後に実現することが可能となるように、接着層２２の材料が選択される。本方法の後続のステップの間における支持体２０の機械的保護を実現するように、支持体２０の他の面を、接着層２２の材料で覆うことも可能である。] 図１Ｆ
[0062] 支持体２０及び接着層２２を、例えば、約４００℃から１，１００℃の間に含まれる温度における安定化アニーリングにさらすことが可能であり、この結果、例えば、接着層２２が二酸化ケイ素により構成される場合に、ここで説明された製造方法の間においてその後に実現されるウェハーボンディングの間に起こりうる脱気を回避し、これによって、ウェハーボンディングを強固にする。]
[0063] 次に、接着層２２の表面処理が実施され、この処理は、例えば、接着層２２の表面２２’のメカノケミカル研磨であり、これにより、接着層２２の表面２２’において再び確認されうる支持体２０に起こりうる粗さの除去が可能となる（図１Ｇ）。これによって、平坦な面２２’が得られる。] 図１Ｇ
[0064] 最後に、図１Ｈに図示されるように、グラフィック素子を含むアセンブリ１４又はアセンブリ１４の一部が、いずれの材料を供給することなく、ウェハーボンディングによって支持体２０上に転写される。ここで説明された実施形態において、ウェハーボンディングが、ここでは同じ材料により構成される接着層２２とパッシベーション薄膜１２’との間に実現される。支持体２０が、パッシベーション層１２’とのウェハーボンディングによる接着を実現しうる材料により構成される場合、接着層２２が、省略されてよい。ウェハーボンディングによって結合された表面の粗さが、約１ｎｍ又は０．５ｎｍ未満であってよい。] 図１Ｈ
[0065] 次に、オブジェクト（支持体＋転写されたアセンブリ）の熱処理のためのステップが実行されてよく、実現されたウェハーボンディングの強化が可能となる。この熱処理が、特に、約２５０℃から１，２００℃の間に含まれる温度にて実施されるアニーリングであってよい。有利に、層１２と２２との間の可能な限り最良な構造安定性が得られるように、このアニーリングが、約８５０℃以上の温度で実行されてよい（少なくともマッシブな材料のそれと等しい）。]
[0066] これにより、基板２及び／又は支持体２０を介して見ることが可能な部分４’，４’’，６’，６’’によって形成され、これによって形成されたモノリシック構造内に組み込まれたグラフィック素子を含むオブジェクト１００が得られる。]
[0067] ２基板
４付着層
４’，４’’残存部分
６金属層
６’，６’’ 残存部分
８エッチングマスク
１０ 領域
１２パッシベーション層
１２’パッシベーション薄膜
１４アセンブリ
２０支持体
２２接着層
２２’ 表面
１００ オブジェクト]

权利要求:

請求項1
少なくとも１つのグラフィック素子を備えたオブジェクト（１００）であって、少なくとも１つの金属により構成され、前記グラフィック素子のパターンに応じてエッチングされた少なくとも１つの層（６，６’，６’’）を含み、前記層（６，６’，６’’）の第一面が、少なくとも１つの少なくとも部分的に透明な基板（２）の面に対向して配置され、前記層（６，６’，６’’）の第一面と反対側の第二面が、少なくとも１つのパッシベーション層（１２，１２’）で覆われ、前記パッシベーション層（１２，１２’）が、ウェハーボンディングにより、少なくとも１つの支持体（２０）の少なくとも１つの面に固定され、前記支持体（２０）を含むモノリシック構造を形成しており、前記層（６，６’，６’’）が、少なくとも前記第二面において、前記金属及び少なくとも１つの半導体により構成された少なくとも１つの領域（１０）を含むことを特徴とするオブジェクト（１００）。
請求項2
前記基板（２）が、少なくとも１つの非晶質又は結晶材料により構成され、及び／又は前記パッシベーション層（１２，１２’）が、少なくとも１つの無機材料により構成されていることを特徴とする請求項１に記載のオブジェクト（１００）。
請求項3
前記グラフィック素子が形成される前記層（６，６’，６’’）の第一面と前記基板（２）の面との間に配置された付着層（４，４’，４’’）をさらに含むことを特徴とする請求項１または２に記載のオブジェクト（１００）。
請求項4
前記グラフィック素子が、前記付着層（４，４’，４’’）内にもエッチングされていることを特徴とする請求項３に記載のオブジェクト（１００）。
請求項5
前記付着層（４，４’，４’’）が、少なくとも１つの金属及び／又は金属窒化物及び／又は金属酸化物により構成されていることを特徴とする請求項３または４に記載のオブジェクト（１００）。
請求項6
前記支持体（２０）の面と前記パッシベーション層（１２，１２’）との間に配置された少なくとも１つの接着層（２２）をさらに含み、ウェハーボンディングが、前記接着層（２２）と前記パッシベーション層（１２，１２’）との間に形成されていることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載のオブジェクト（１００）。
請求項7
前記オブジェクト（１００）が、宝石、腕時計、又は電子デバイスであることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載のオブジェクト（１００）。
請求項8
前記層（６，６’，６’’）の前記領域（１０）が、ケイ素化合物により構成されていることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載のオブジェクト（１００）。
請求項9
少なくとも１つのグラフィック素子を備えたオブジェクト（１００）の製造方法であって、ａ）少なくとも１つの少なくとも部分的に透明な基板（２）の面上に少なくとも１つの金属により構成された少なくとも１つの層（６，６’，６’’）を堆積するステップ、ｂ）前記グラフィック素子のパターンに応じて前記層（６，６’，６’’）をエッチングするステップ、ｃ）前記層（６，６’，６’’）内における、前記基板（２）の側面上に位置された前記層（６，６’，６’’）の第一面と反対側の前記層（６，６’，６’’）の少なくとも第二面において、前記金属及び少なくとも１つの半導体により構成された少なくとも１つの領域（１０）を形成するステップ、ｄ）少なくとも、エッチングされた前記グラフィック素子を含む前記層（６，６’，６’’）上及びエッチングされた前記グラフィック素子を含む前記層（６，６’，６’’）によって覆われていない前記基板（２）の面の部分上に、少なくとも１つのパッシベーション層（１２，１２’）を堆積するステップ、ｅ）モノリシック構造を形成するように、ウェハーボンディングによって少なくとも１つの支持体（２０）の少なくとも１つの面に前記パッシベーション層（１２，１２’）を固定するステップ、からなるステップを少なくとも含むことを特徴とする方法。
請求項10
前記層（６，６’，６’’）を堆積するステップａ）の前に、前記基板（２）の面上に付着層（４，４’，４’’）を堆積するステップをさらに含み、次に、前記ステップａ）の間に、前記層（６，６’，６’’）が、前記付着層（４，４’，４’’）上に堆積されることを特徴とする請求項９に記載の方法。
請求項11
前記グラフィック素子が、前記ステップｂ）の間に、前記付着層（４，４’，４’’）内においても、エッチングされることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
請求項12
前記パッシベーション層（１２，１２’）を堆積するステップｄ）と、前記固定するステップｅ）との間に、約４００℃から１，１００℃の間に含まれる温度で前記パッシベーション層（１２，１２’）を含む前記基板（２）をアニーリングするステップをさらに含むことを特徴とする請求項９から１１のいずれか一項に記載の方法。
請求項13
前記パッシベーション層（１２，１２’）を堆積するステップｄ）と、前記固定するステップｅ）との間に、前記パッシベーション層（１２，１２’）を平坦化するステップをさらに含むことを特徴とする請求項９から１２のいずれか一項に記載の方法。
請求項14
前記グラフィック素子をエッチングするステップｂ）が、前記層（６，６’，６’’）内に及び／又は前記基板（２）の面と前記層（６，６’，６’’）との間に配置される付着層（４，４’，４’’）内に、マスキング、リソグラフィック及びエッチングステップを適応することにより行われるか、又は前記グラフィック素子をエッチングするステップｂ）が、前記層（６，６‘，６’’）内に及び／又は前記基板（２）の面と前記層（６，６’，６’’）との間に配置される付着層（４，４’，４’’）内に、直接的に少なくとも１つのレーザーアブレーションステップを適応することにより行われることを特徴とする請求項９から１３のいずれか一項に記載の方法。
請求項15
前記固定するステップｅ）の前に、少なくとも前記支持体（２０）の面上に少なくとも１つの接着層（２２）を堆積するステップをさらに含み、前記固定するステップｅ）が、前記接着層（２２）と前記パッシベーション層（１２，１２’）との間のウェハーボンディングによる結合を適用することにより行われることを特徴とする請求項９から１４のいずれか一項に記載の方法。
請求項16
前記接着層（２２）を堆積するステップと、前記固定するステップｅ）との間に、前記接着層（２２）を平坦化するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１５に記載の方法。
請求項17
前記接着層（２２）を堆積するステップと、前記固定するステップｅ）との間に、約４００℃から１，１００℃の間に含まれる温度で前記接着層（２２）を含む前記支持体（２０）をアニーリングするステップをさらに含むことを特徴とする請求項１５又は１６に記載の方法。
請求項18
前記固定するステップｅ）の後に、ウェハーボンディングを強化するように、前記オブジェクト（１００）のアニーリングによって熱処理するステップをさらに含むことを特徴とする請求項９から１７のいずれか一項に記載の方法。
請求項19
前記金属及び半導体により構成された前記領域（１０）を形成するステップｃ）が、前記層（６，６’，６’’）をシリコン処理するステップを適応することにより行われることを特徴とする請求項９から１８のいずれか一項に記載の方法。